未经过氢等离子体表面处理仪处理的Si-C/Si-O谱峰强度之比(面积之比)为0.87。经过处理的Si-C/Si-O的XPS谱峰强度之比(面积之比)为0.21,与没有经等离子体处理的相比下降了75%。经过湿法处理的表层Si-O的含量明显高于经过等离子体处理的表层。高能电子衍射(RHEED分析发现氢等离子体表面处理仪处理后的碳化硅表层比传统湿法处理的碳化硅表层更加平整,附着力不良分析而且处理后表层出现了(1x1)架构。

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微孔技术允许将过孔直接打入焊盘(VIA-IN-PAD),显着提高电路性能并节省布线空间。过孔在传输线的阻抗中表现为不连续的不连续性,从而导致信号反射。一般来说,过孔的等效阻抗比传输线的阻抗低12%左右。例如,一条50欧的传输线在通过过孔时阻抗降低了6欧(具体来说是过孔的大小和板子的厚度(不是降低),而是由于线路的阻抗不连续。

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5.到达处理时间后,复原平衡阀钮,3秒左右恢复常压,无进气声响时,腔门自动打开。6.打开腔门,取出被处理物,一个处理过程结束。温馨提示:在手动状态下,可设定氧气阀、氩气阀、真空泵、射频电源、平衡阀的开关选择,进行数据工作。

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