通过在真空室中用氧气（O2）进行清洗，增加镀层附着力可以有效去除光刻胶等有机污染物。氧气 (O2) 引入更常用于精密芯片键合、光源清洁和其他工艺。一些氧化物很难去除，但在非常密闭的真空中使用时可以用氢气 (H2) 清洁它们。还有四氟化碳（CF4）和六氟化硫（SF6）等特殊气体，可以增加蚀刻和去除有机物的效果。但是，使用这些气体的前提是要有完全耐腐蚀的气路和空腔结构。此外，您必须佩戴防护罩和手套才能工作。
氧化物和有机污染物等污染物的存在会显着降低引线键合拉力值。等离子清洗可以有效去除粘接区域的表面污染物，如何增加镀层附着力增加粗糙度。这大大提高了引线的键合张力，大大提高了封装器件的可靠性。经过等离子清洗和键合后，键合强度和键合线张力的均匀性大大提高，对提高键合线的键合强度有很大的作用。等离子可用于在引线键合之前清洁芯片结，以提高键合强度和良率。
气动调节阀：调压阀是气动控制的重要元件，增加镀层附着力其作用是将外部压缩气体控制在所要求的工作压力下，保持压力和流量的稳定性。不管是真空plasma等离子去胶机还是大气plasma等离子去胶机，在进气时都会安装气动调压阀，为了保证气体的洁净度，在使用时可以加装气体过滤组件。为便于查看气体压力，可将压力表安装在调压阀上或选择带压力表的调压阀。如果需要提供欠压报警，还可以选择压力表带有报警输出功能，或者增加一个压力开关。
微波等离子清洗机主要应用于敏感器件(半导体芯片，增加镀层附着力特别是微波器件)，这时主要是离子化学反应。而13.56MHz射频等离子清洗机的应用则介于上述两者之间，兼具化学和物理清洗。
增加镀层附着力
这表明射频等离子在引线框架基部的清洗活性优于直流等离子清洗。与射频清洗一样，微波等离子清洗也需要物理方法。在化学反应过程中，引线框架表面的有机物与金发生化学反应。氧化层的去除更彻底。错误的等离子清洗前后水滴角度的比较。使用俄歇电子能谱 (AES) 比较清洁前后晶片垫的元素含量。清洗效果也可以通过清洗液的表面元素含量来确认。放置晶圆后，清洁器在上胶前使用各种清洁剂。。
真空等离子清洗机它由13.56MHz射频电源发生器、电子控制系统、自动匹配系统和等离子体放电腔体四部分构成。外接真空泵系统可通入不同气体，例如氩气、氧气、及氟化气体等。放电腔体的两侧壁有数个可调节极板间距的支架可用于放置极板。电极板是一组平行的、极性交替的、板上均匀布置了若干通孔的金属板，一般真空腔体中设计有多组平行电极板，电极板的数量和大小取决于真空腔体的尺寸大小。其结构简图如图1.1所示。
采用常压等离子体清洗机，在生产过程中可以很容易地去除这些分子污染，从而显著提高IC封装的可制造性、可靠性和成品率。在片式集成电路封装生产中，等离子体清洗工艺的选择取决于后续工艺对材料表面、原始性能、化学成分和性能的要求。在芯片和MEMS IC封装中，衬底、基座和芯片之间存在大量的引线连接。引线键合仍然是芯片焊盘与外部引线连接的重要手段。如何提高引线键合强度一直是业界研究的难题。
我需要知道当前的气体量，那么如何计算呢？如果瓶装气的气压显示为15.00MPA，瓶装气的容量为40L，可以计算出瓶装气释放到大气压的量，得到15*10*40=6000L。 2、计算真空等离子清洗机的含气量：知道了瓶内当前的含气量后，需要知道每天的用气量。等离子处理器设定的空气量假定为 50 SCCM。即 50 毫升/分钟。然后是每小时 3000 毫升或 3 升。
如何增加镀层附着力
表2给出了等离子体清洗工艺选择和应用的一些实例。在芯片、MEMS封装、基板、基片与芯片之间存在大量的引线连接，射频能增加镀层附着力吗引线连接仍然是实现芯片衬垫与外部引线连接的重要途径，如何提高引线连接强度一直是业界研究的课题这个问题。
