没有氢等离子体表面处理装置的SI-C/SI-O光谱的峰强度比(面积比)为0.87。经处理的 SI-C/SI-O 的 XPS 峰强度比(面积比)为 0.21,戒指氧化了怎么处理与未经等离子体处理的情况相比降低了 75%。湿处理表面层的 SI-O 含量显着高于等离子体处理表面层的 SI-O 含量。高能电子衍射(RHEED 分析表明,用氢等离子体表面处理装置处理的碳化硅表面层比常规湿法处理的碳化硅表面层更平整。

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