研究表明，背胶与附着力激发剂的用法等离子清洗技术可使包装产品的包装印刷率提高30%。在这些塑料中，等离子处理器显示出高活性。这是塑料材料长期粘合的主要原因。 - 等离子处理器预处理提高液体墨水的持久附着力，提高印刷图像包装的产品质量，提高印刷产品包装的耐用性、抗老化性能，使颜色变得更鲜艳，图案印刷更准确成为可能。与电晕处理相比，等离子处理的适当比例，热材料的表面层不太可能对表面造成其他损坏。
等离子体清洗技术广泛应用于微电子、光电子、MEMS封装等领域一、倒装焊前等离子清洗在功率芯片倒装封装中，背胶与附着力激发剂的用法在倒装键合前对功率芯片和载体等离子体进行清洗，提高其表面活性，可有效防止或减少孔洞，提高附着力。另一个特点是增加包装边缘高度，提高包装机械强度，降低界面间热膨胀系数不同带来的剪应力，提高产品可靠性和使用寿命。二、功率芯片键合的等离子清洗等离子体清洗可用于功率芯片键合前的处理。
对表面无机械损伤，背胶与附着力激发剂的用法无需化学溶剂，完(全)的绿色环保工艺。脱模剂、添加剂、增塑剂或者其它由碳氢化合物构成的表面污染都能够被去除。通过等离子进行的表面清洗能够除去紧密附着在塑料表面细小的灰尘颗粒。通过一系列的反应和相互作用，等离子体能够将这些灰尘颗粒从物体表面彻底除去。这样可以大大降(低)高品质要求的涂装作业的废品率，比如汽车工业里的涂装作业。
通常是指带正电的阳离子的作用，附着力激发剂阳离子有向带负电的表面加速的趋势，在这种情况下，物体的表面获得相当大的动能，足以除去附着在表面的粒子，我们称之为溅射现象，通过离子的撞击，物体表面的化学反应紫外光有很强的光能，能打破附着在物体表面物质的分子键。它还具有很高的渗透性，可以穿透表面几微米深。与所有的可见，等离子体清洗是利用等离子体对各种高能物质进行活化，彻底剥离和去除附着在物体表面的污垢。。
背胶与附着力激发剂的用法
等离子体发生器处理技术可以借助等离子体对皮革制品表面的清洁、活化、刻蚀等作用，将皮革制品的表面变得更为洁净、且富有活性，此外还能够获得微粗糙的表面，这样一来油墨中的连结料和粘合剂能够更容易地渗透到皮革制品的真皮层孔隙中，加以固化之后就可以产生机械投锚效应，获得良好的附着性和牢靠度，等离子体发生器的表面处理技术对皮革制品表面不会产生任何损害，是一种节能、环保、高效、低耗的新型表面处理技术。
填料上只有降解一些恶臭物质的微生物附着，生物滤池内的微生物不会与微生物混合，同时消耗滤料中的有机物，生物滤池内不会产生生物滤池内的微生物物料量大，可承受比生物滤池更大的污染负荷。惰性滤料无法更换，造成压力损失小。而且操作条件易控制，面积大，需要不断添加营养物质，操作复杂，受温湿度影响较大。培养生物菌需要很长时间，受到损伤后也需要很长时间才能恢复。
塑料、橡胶、纤维等高分子材料在成型过程中加入的增塑剂、引发剂、残留单体、分解剂等低分子物质，很容易在材料表面沉淀和聚集，呈无定形。形成一层并提高润湿性。性能会降低。尤其是医用材料，小分子物质的浸出会影响机体的正常机能。冷等离子体技术可以在高分子材料表面形成交联层，对小分子材料的渗透起到屏障作用。
在等离子体条件下，许多乙烯基单体可以在工件表面交联聚合，不需要任何其他催化剂或引发剂。这种聚合物层非常致密，并与基底牢固地结合在一起。目前，国外的塑料啤酒瓶和汽车油箱都采用了这样一层致密的等离子体聚合物材料，以防止微小的泄漏。高分子生物医用材料的表面还可以防止塑料中的增塑剂等有毒物质通过这一致密层扩散到人体组织中。。
背胶与附着力激发剂的用法
(1) 产生氧气CO2 + e → CO + 0-(4 -9) CO2 + e → CO + 0 + e (4-10) (2) 产生甲基自由基CH4 + 0- → CH3 ∙ + 0H- (4-11) CH4 + O → CH3 ∙ + OH (4-12) (3)产生C2烃CH3 + CH3 → C2H6 (4-13) C2H6 + e → C2H5 + H + e (4-14) C2H6 + O → C2H5 + OH (4-15) 2C2H5 → C2H4 + C2H6 (4-16) C2H5 + CH3 → C2H4 + CH4 (4-17) (4) 产生二氧化碳CHX + O → HCHO + H (4-18) HCHO + O → OH + CHO (4-19) CHO + O → OH + CO (4-20)等离子冷等离子作为一种有效的自由基引发剂，背胶与附着力激发剂的用法已成功用于 C2 一步中 CH4 的 CO2 氧化。
6去除光刻胶在晶圆制作过程中，背胶与附着力激发剂的用法氧等离子体被用来去除晶圆表面的蚀刻电阻。干法工艺唯一的缺点是等离子体区的活性粒子可能会对一些电敏设备造成损坏。为了解决这个问题，开发了几种工艺。一种是用法拉第器件隔离轰击晶圆表面的电子和离子；另一种方法是将清洗蚀刻对象放置在有源等离子体区域之外。（并行等离子清洗）蚀刻速率取决于电压、气压和胶水的量。典型的刻蚀速率为nm/min，通常需要10min。
