当射频功率为200W～600W，10系列小功率电晕处理机气压为mT～120mT或140mT～180mT时，清洗10min～15min可获得较好的清洗效果和结合强度。直径为25μm的金丝键合丝经等离子体清洗后，平均键合强度提高到6.6gf以上。倒装焊前的清洗在芯片倒装封装中，通过等离子体清洗芯片和载体，提高其表面活性，再进行倒装键合，可以有效防止或减少空隙，提高粘接性能。
当物质由低能聚合状态转变为高能聚合状态时，10系列小功率电晕处理机会从外界供给能量（如温度、电场、辐射等），由固体转变为液体或由液体转变为气体。每个粒子需要0.01eV(1eV=1.6022&乘以10-19焦耳），当气体进一步从外部吸收能量时，分子的热运动进一步加剧，分子解离为原子，原子中的电子获得足够的能量脱离电子，成为自由电子。
在织物外观上完成新的化学功能，小功率电晕处理机可以促进外观与染料之间的反应，进而大大提高织物层间的附着力。此外，有可能完成浆料的无水脱除。以上的例子只是等离子体织物外部处理技术的许多潜在应用中的几个。通过等离子体外观处理来改变织物的外观功能是一个非常复杂的过程。等离子体中的粒子引起的反射通常发生在数据表面的10nm以内。等离子体发射的短波紫外辐射引起的响应的影响范围较深，在离外表面nm的深度内。
。玻璃光学镜片，10系列小功率电晕处理机树脂镜片等离子，UV/IR镜片活化-等离子清洗机。一是玻璃光学镜片等离子体清洗机，树脂镜片的等离子体清洗机，UV/IR镜片活化等离子体清洗机利用能量转换技能，在一定真空负压的条件下，通过电能将气体转化为高活性气体等离子体，可以轻柔地冲洗固体样品的外观，引起分子结构的变化，从而对样品外观上的有机污染物进行超清洗。在极短的时间内，通过外置真空泵将有机污染物完全抽走，其清洁能力可达分子级。
10系列小功率电晕处理机
40kHz的自偏压约为0V，13.56MHz的自偏压约为250V，20MHz的自偏压更低，这三种激发频率的机理不同，40kHz的反应是物理反应，13.56MHz的反应既有物理反应也有化学反应，20MHz有物理反应，但主要反应是化学反应，如果材料需要活化改性，要用13.56MHz或20MHz等离子体清洗，40kHz的自偏压约为0V。13.56MHz的自偏压约为250V，20MHz的自偏压较低。
通过适当的工艺条件对材料表层进行处理，明显改变材料表层的形貌，引入多种含氧基团，使表层由非极性、不易粘接变为一定极性、易粘接、亲水性，提高了结合面的表面能，不会对表层造成任何损伤，也不会使表层出现涂层、电镀层剥离。
等离子体清洗设备中氧等离子体对AlGaN/GaN HEMT表面处理的影响；氮化物（GaN）是一种宽禁带半导体材料，以其良好的物理、化学和电学性能成为目前研究最多的半导体材料。它是继第一代半导体材料硅（Si）和第二代半导体材料砷化物(GaAs)、磷化物（GaP）和磷化铜（InP）之后迅速发展起来的第三代半导体材料。
Z在内壁测试，其表面要承受高温和极高的表面热负荷（Z约为20MWm-2)，还要承受核聚变反应释放的能量高达14MeV的中子的辐照，辐照量将有数百dPa。同时，14MeV中子的(n2p)和(n，α)核嬗变反应产生大量氢和氦，会对材料的性能产生很大影响。可以说，世界上现有的材料没有一种能胜任第一堵墙的工作要求。
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