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La203/Y-Al2O3催化剂吸附甲基自由基并促使C2烃的生成;与La203/Y-Al2O3催化剂不同,Nd2O3/Y-Al203催化剂则倾向于吸附含氧自由基,并且催化剂表面的甲基自由基易被含氧自由基氧化生成CO。

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它的基本原理是:在低压下,由ICP射频电源向环形耦合线圈输出,通过耦合辉光放电,混合刻蚀气体通过耦合辉光放电,产生高密度的等离子体,在下电极RF作用下,在基片表面轰击,基片图形区域内的半导体材料的化学键被打断,与刻蚀气体产生挥发性物质,将气体从基片中分离出来,抽离真空管。同样条件下,氧气等离子体处理比氮气等离子体处理效果更好。

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