在半导体封装领域，有机硅对附着力的影响通常采用真空等离子体处理系统，随着设备的不断吸尘，真空室内的真空度不断提高，分子间的距离变大，分子间作用力越来越小，Ar、H2、N2、O2、CF4等工艺气体被等离子体清洗设备的等离子体发生器产生的高压交变电场激发，使其变为高反应性或高能量的等离子体，从而与半导体器件表面的有机污染物和微粒子反应，生成挥发性物质，通过真空泵抽出，达到清洗、活化、刻蚀的目的。。
等离子清洗工艺具有操作简便、可控性高等明显优势，有机硅对附着力的影响因此被广泛应用于电子电气、材料表面改性与活化等诸多行业。同时，这项卓越的技术有望在复合材料领域得到认可和广泛应用。图 1 简要说明了等离子清洗的有效原理。主要通过等离子体效应材料表面发生一系列物理化学变化，其中活性粒子和高能射线与表面的有机污染物分子发生反应碰撞，形成小分子蒸发物。一个表面即可完成清洁效果。
因此，有机硅对附着力的影响该装置的设备成本不高，冲洗工艺不需要使用昂贵的有机水溶液，因此总体成本低于传统的湿式冲洗工艺。无线电范围的频率是它与激光等直射阳光不同。低温等离子技术的方向性不是很强，可以通过材料内部的气孔和凹槽完成冲洗操作，所以不必过多考虑被冲洗材料的形状。
示例 1：O2 + e- → 2O * + eO * + 有机物 → CO2 + H2O从反应式可以看出，有机硅对基材附着力氧等离子体可以通过化学反应将非挥发性有机化合物转化为挥发性的H2O和CO2。 ..示例 2：H2 + e- → 2H * + eH * + 非挥发性金属氧化物 → 金属 + H2O从反应式可以看出，氢等离子体可以通过化学反应去除金属表面的氧化层。反应并清洁金属表面。
有机硅对附着力的影响
低温等离子体设备+光催化技术是在等离子体反应器中填充TiO2催化剂，反应器产生的高能粒子将有机污染物分解成小分子，再在催化剂作用下进一步氧化分解成无机小分子，从而达到净化分离废气的目的。
对样品外层（有机）污染物的超清洁可以在很短的时间内完全去除。同时，样品外层的特性可以在一定的情况下发生改变。由于采用混合气体作为清洗介质，可以有效避免样品的二次污染。该装置不仅增强了样品的粘附性、相容性和润湿性，还可以（杀菌）（杀菌）细菌。如今，等离子清洗机广泛应用于光学、光电子学、电子学、材料科学、聚合物、生物医学和微流体领域。
5、等离子体边缘蚀刻机:等离子体边缘蚀刻是指利用等离子体蚀刻去除晶圆片边缘不需要的薄膜，可以减少缺陷的数量，提高良率。随着工艺节点延伸到20nm，以及摩尔定律中更先进的工艺节点，晶圆边缘和侧面缺陷对良率的影响更加突出。在超大规模集成电路(vlSI)制造中，薄膜沉积、光刻、蚀刻和化学机械磨削之间的复杂相互作用往往会导致晶圆边缘不稳定的薄膜积累。
简单地说，等离子体清洁技术是等离子体物理、等离子体化学以及气-固相界面反应的综合，能有效清除(去除)残存于原材料表层的有(去除)污染物质，确保原材料的表层和机体性能不受影响，传统式的湿法清洁是目前主要的替代技术。更重要的是，常压等离子体技术对半导体、金属和大多数聚合物原材料有很好的处理效果(效果)，可以清洁整体、局部和复杂的结构。
有机硅对附着力的影响
等离子体清洗是一种干式工艺，有机硅对附着力的影响由于采用了电催化反应，可以提供一个低温的环境，同时消除了湿化学清洗产生的危险和废液，安全、可靠、环保。总之，等离子体清洗技术将等离子体物理、等离子体化学和气固两相界面反应相结合，能够有效去除材料表面残留的有机污染物，保证材料的表面和本体特性不受影响，目前被认为是替代传统湿式清洗技术的主要手段。
