极耳等离子体刻蚀（极耳等离子体刻蚀机器）极耳等离子体刻蚀设备

大型不对称布局和需要蚀刻的物体被放置在面积较小的电极上。在等离子刻蚀操作过程中，极耳等离子体刻蚀设备高频电源产生的热运动使带负电荷的自由电子质量小，移动速度快，迅速到达阴极，正离子由质量引起。由于体积大、速度慢、难以同时到达阴极，在阴极附近形成带负电的鞘层。该鞘的加速导致阳离子与表面碰撞。拉直硅片会加速表面的化学反应并分离反应产物，从而产生非常高的蚀刻速率和具有离子冲击的各向异性蚀刻。

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如果硬掩模的有效高度不够，极耳等离子体刻蚀设备顶部的多晶硅也会在硅锗中生长缺陷并受到控制。FinFET 多晶硅蚀刻剖面尤为重要。作为三维晶体管，多晶硅刻蚀需要考虑沟道因素。鳍片本身的材料是体硅。如果等离子表面处理器蚀刻多晶硅，尽管有氧化硅的保护，鳍片本身的损失仍然需要考虑。在蚀刻过程中，蚀刻过程通常从鳍片顶部切换到传统的高选择性 HBr/O2 步骤 200-300°，需要使用较低的偏置功率。

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背面银芯片的硫化 当去除单层或多层金属化结构的背面金属层芯片时，极耳等离子体刻蚀设备正面金属通常是金和银，而含有背面银的芯片容易发生硫化和银氧化。它直接影响芯片的安装。质量。硫化或氧化后的银片用导电胶粘合，氢气烧结，回流焊增加空隙率，增加接触电阻和热阻，降低粘合强度。..降级问题。常用等离子清洗去除银片背面的硫化芯片 去除厚膜基板导带中的有机污染物 DC/DC 混合电路在组装过程中使用焊膏、粘合剂和助焊剂、有机溶剂。