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随着集成电路特征尺寸缩小,长沙市等离子体球化设备生产企业双大 马士革工艺的铜填充问题是个很大的挑战,蚀刻定义的沟槽和通孔的尺寸和形貌对良好的铜 填充非常关键。Liu等系统地研究了双大马士革结构的关键尺寸与EM早期失效的关系。图蚀刻后双大马士革结构,MH为沟槽深度,VH 为通孔深度,D1为通孔在斜面处的上开口尺寸,D2为通孔底部尺寸。

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