蚀刻速率的比较表明，光刻机和刻蚀机的价格光刻胶和氧化硅的蚀刻速率在较低温度下会降低，尤其是低于-°C。然而，当温度低于-°C时，硅的刻蚀速率会有所增加，这会显着提高硅刻蚀对氧化硅和光刻胶的刻蚀选择性比。其次，在低于-°C的温度下，实现了更显着的各向异性蚀刻特性。因此，等离子表面处理机的等离子刻蚀反应阴极温度可以作为超低温刻蚀的标准，也可以作为后续工艺开发和优化的起点。
根据等离子表面处理设备对材料表面的过渡，光刻机和蚀刻机有啥区别可以实现蚀刻处理、材料表面、清洁度等。这种表层的粘度和电焊强度可以得到显着提高。电路板和触摸屏的清洁和蚀刻。等离子表面处理设备清洗的IC芯片可以显着提高键合线的强度，降低电路故障的可能性。残留的光刻胶、环氧树脂、溶剂沉积物和其他有机化学污染物暴露在冷等离子体区域中，并且可以在短时间内完全去除。
封装工艺直接影响引线框架芯片产品的良率。芯片和引线框架上的颗粒污染物、氧化物和环氧树脂是整个封装过程中问题的第一大原因。根据这些不同污染物的不同世代，光刻机和刻蚀机的价格可以在不同工艺之前加入不同的等离子清洗工艺，其应用通常分散在点胶、引线键合和塑封之前。晶圆清洗：去除残留的光刻胶。银胶封装和分布前：工件的表面粗糙度和亲水性大大提高，有利于银胶的绑扎和芯片键合，大大节省了银胶的使用，成本可以降低。
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