ICP等离子清洗（ICP等离子清洗机器）ICP等离子清洗仪

自旋转移矩磁存储器的制造也是通过在标准CMOS逻辑电路的后端金属结层中央嵌入存储单元（磁隧道结），ICP等离子清洗仪并集成自旋转移矩磁隧道结的逻辑来实现的。 从后端电路和磁性隧道结的粗略工艺可以看出，磁性隧道结的蚀刻对于器件性能非常重要。目前使用的蚀刻技术包括等离子清洁器离子束蚀刻（ion beametching，IBE）、等离子清洁器电感耦合等离子蚀刻（ICP）、等离子清洁器反应离子蚀刻（RIE）等系统。

由于钽 (Ta) 的选择性非常高，ICP等离子清洗仪因此可以通过足够的过蚀刻来实现相对笔直的蚀刻形状。 Ar / Cl 等离子体的大磁滞回线偏移是由于下面的钉扎层造成的。严重的腐蚀和比 Ar ICP 更小的 CH3OH 磁滞回线位移也表明在 CH3OH 等离子清洁器等离子蚀刻中存在化学反应。通过这种化学反应形成的含碳薄膜层吸收入射离子能量，从而降低等离子体损伤（PID）。

研究进展表明，ICP等离子清洗机器通过优化 CH3OH/Ar 比，可以改善由反应离子刻蚀引起的材料不可避免的磁劣化所导致的磁阻劣化问题。除了气体选择优化之外，脉冲功率技术的引入进一步改善了对磁性隧道结刻蚀形状的控制。除了各有优缺点的 IBE 和 ICP 外，中性粒子束蚀刻 (NBE) 也是一个重要的候选技术。

一举打破了以往同类产品完全依赖美国、日本、德国等国家和台湾进口的局面。优质、高性价比的设备和高效的售后服务，ICP等离子清洗仪得到国内LED及IC封装厂商的一致好评和认可。市场占有率在同行业中排名第一。它主要利用无线电波范围内的高频产生的等离子体，渗透到微小的孔洞和凹入的物体中，无论物体或物体的形状如何，都能完成清洁工作。与其他表面相比，同类处理设备对等离子清洗机的清洗效果更高，提高了整条工艺线的处理效率。

ICP等离子清洗机器

颗粒比铁铬熔体小，在熔池的搅动下更容易上浮和聚集，镀层表面附近的TiC颗粒较多；镀层较低区域的TiC颗粒较少。在等离子清洁装置的等离子处理过程中快速加热和冷却会在涂层上产生高热应力并导致涂层出现裂纹。铁铬C-Ti涂层表面比较粗糙，但没有裂纹。这是因为在铁铬C涂层的碳化复合成分中加入Ti，发生Ti+C<→TiC反应，现场合成TiC颗粒。 TiC形成的温度高于初始碳化物析出温度。

因此，这些分散的TiC颗粒可以是用于提纯铬的一次碳化物或用于去除铬的一次碳化物。改善 C3 一次碳化物（铬、铁）和 C3 共晶结构会增加许多奥氏体结构。奥氏体在高温和常温下具有优异的强度和韧性，可以增加涂层的耐磨性。该相提供了强有力的支持，C3 共晶结构增加了许多奥氏体结构。

因此，大量TiC颗粒的合成和奥氏体（CrFe）、C3（C3）、（铬、铁）的形成，以及C3共晶组织的改善，有效地提高了涂层的韧性，从而提高了涂层的韧性。抑制生成。裂缝。零件在摩擦作用下的磨损量一般与接触应力、相对速度、润滑条件和摩擦副材料有关，而材料的耐磨性则与材料的硬度和显微组织有关。因此，提高涂层的表面硬度是提高材料性能的重要途径。

3. 表面蚀刻液 材料表面被反应气体等离子体选择性蚀刻，蚀刻后的材料转化为气相并由真空泵排出。处理后材料的微观比表面积增大，亲水性好。 4、纳米涂层溶液经等离子清洗剂处理后，通过等离子体引导聚合形成纳米涂层。各种材料可以通过表面涂层制成疏水（hydrophobic）、亲水（hydrophilic）、疏油（耐油）和疏油（耐油）。 5. PBC制造方案 这实际上涉及到等离子刻蚀的过程。

ICP等离子清洗仪

等离子清洗机/等离子处理器/等离子处理设备广泛应用于等离子清洗、等离子蚀刻、等离子脱胶、等离子涂层、等离子灰化、等离子处理、等离子表面处理等。通过等离子清洗机的表面处理，ICP等离子清洗机器可以提高材料表面的润湿性，可以对各种材料进行涂镀，提高附着力和附着力，去除有机污染物和油污。同时润滑。车身清洁剂、蚀刻表面改性剂、等离子清洁剂和增强型耦合等离子清洁剂表面清洁 IC 可以显着提高键合线的键合强度并降低电路故障的可能性。