工件表面上的污染物,如油脂、通量,胶卷,脱模剂,冲压油,等等,很快就会被氧化成二氧化碳和水,并将由真空泵抽离,从而达到清洗的目的和改善表面渗透和附着力。低温等离子体处理只涉及材料的表面，二氧化硅等离子体表面清洗不影响材料的性能。由于等离子体清洗是在高真空条件下进行的，等离子体中各种活性离子自由路径长，穿透性和渗透性强，可以用细管和盲孔等复杂结构进行处理。
等离子体清洗过程可以获得真正的清洁,%与等离子体清洗相比,水清洗通常是一个稀释过程,与二氧化碳清洗技术相比,等离子体清洗不需要使用其他材料,与喷砂清洗相比,等离子体清洗可以完整的处理材料的表面结构,而且不只是表面突出，二氧化硅等离子体刻蚀可在线集成，无需额外空间，运行成本低，预处理工艺环保。等离子清洗机的优点:1。环保技术，等离子体作用过程为气固共格反应，不消耗水资源，无需添加化学药剂，对环境无污染。
等离子体清洗机对玻璃表面的清洗，二氧化硅等离子体表面清洗除机械作用外，主要是活性氧的化学作用，Ar*处于等离子体的激发态，使氧分子被激发进行激发被氧原子染色的油和硬脂酸主要由碳氢化合物组成，被活性氧氧化产生二氧化碳和水，将油从玻璃表面除去。玻璃手机面板在化学回火前的清洗过程非常复杂。针状电极预电离产生的非平衡Ar/O2大气压等离子体射流是一个简单的清洗过程。用接触角计测定了水、润滑油与硬脂酸在玻璃板上的接触角。
因为硬掩模层通常是二氧化硅,和CF4 CHF3常见腐蚀聚合物可以被创建,并积累了保护层和层间介电层的侧壁上,如果让聚合物沉积在墙上,随后主要腐蚀将通过这个异常图像底部的洞,在横条的顶部至底部成为通孔，二氧化硅等离子体表面清洗通孔侧壁的粗糙度增大，严重影响后续电镀充铜的完整性。此外，电迁移(EM)作为一种缺陷，容易发生，从而影响电路的可靠性。
二氧化硅等离子体表面清洗：
不同于湿式化学处理工艺，等离子清洗机处理是干式处理工艺，如何理解呢?简单来说,等离子清洗机是通常使用的气体,和普通气体,如氧气、氮气、压缩空气,不需要使用有机化学解决方案,和无害的治疗主要是由二氧化碳和其他气体,气体反应物和生产内容,也不需要干燥,因此，等离子清洗机处理废水无废气是可以实现的。
有没有办法去除手机屏幕表面的杂质，提高其外观的粗糙度，又不会影响外观的正常使用?此时，等离子体清洁器出现。1879年，克鲁克斯首次发现了物质的第四种状态，即等离子体的存在。等离子体清洗机通过等离子体中含有的电子、离子和高活性自由基的反应，这些粒子是非常简单和表面污染物反应的产物，最终组成的二氧化碳和水蒸气被排出，以达到添加粗糙外观和表面清洁的效果。
通过活化、接枝和表面涂层对聚合物和生物材料进行表面刻蚀和活化。常规的清洗方法无法清洗材料的表面膜，留下一层很薄的杂质，溶剂清洗就是一个典型的例子。等离子清洗机是用等离子体对材料表面进行轰击，轻轻地、干净地擦洗表面。等离子清洗可以去除隐形的油膜、微小的铁锈和其他用户附着在医疗器械上的解毒和杀菌产品，已得到广泛认可。等离子体清洗机治疗在同时清洗和解毒医疗器械方面具有很大的潜力。
第二年，他获得了半导体设备与材料协会颁发的SEMI奖，因为他建立了半导体行业的等离子体蚀刻标准。1993年底，他被提升为Applied Materials副总裁，负责管理全球商业运营。1994年，他因多年来对半导体设备行业的贡献而获得半终身成就奖。林杰克和王宁国博士入选美国硅工程协会名人堂。等离子体刻蚀设备是保证高质量半导体产品批量生产的基石。
二氧化硅等离子体表面清洗：
根据要蚀刻的材料类型、所用气体的性质和所需的蚀刻类型，二氧化硅等离子体刻蚀等离子体蚀刻有多种类型。操作温度和压力对等离子体刻蚀也有重要影响。工作温度和压力的微小变化会显著改变电子的碰撞频率。RIE(反应离子蚀刻)使用物理和化学机制来实现单向、高级的表面蚀刻。由于RIE过程结合了物理和化学相互作用，它比单独的等离子体蚀刻要快。高能离子碰撞将电子从等离子体中剥离出来，并允许使用带正电的等离子体进行表面处理。。
真空等离子清洗机的工作过程如下:将清洗干净的工件送入真空室固定，二氧化硅等离子体刻蚀设定工作参数，启动运行装置，抽真空，即真空室中的标准真空度为10PA左右。将等离子清洗气体引入真空室，保持其压力在Pa。根据物料清洗的不同，分贝可以选择氧气、氢气、氩气或氮气。在真空室的电极与接地装置之间施加高频电压，使气体被击穿，通过辉光放电电离产生等离子体。真空室中产生的等离子体完全包裹在被加工工件中，清洗操作开始。
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