但是它也同时带来了电荷损伤，什么是隧道内附着力减小随着栅氧化层厚度的不断降低，这种损伤会越来越影响到MOS元件的可靠性，因为它可以影响氧化层中的固定电荷密度、界面态密度、平带电压、漏电流等参数。 带天线元件结构的大面积离子收集区(多晶或金属)一般位于厚的场氧之上，因此只需要考虑薄栅氧上的隧道电流效用。大面积的收集区称为天线，带天线元件的隧道电流增加倍数等于厚场氧上的收集区面积与栅氧区面积之比，称为天线比。
等离子体清洗剂刻蚀技术的应用及新型磁存储器的介绍；磁随机存储器(MRAM)是一种以磁隧道结(MTJ)为核心部件的存储器。磁隧道结是铁磁层/隧道势垒层（金属氧化物，什么是隧道内附着力减小如MgO）/铁磁层的三明治结构，其中一层铁磁材料称为参考层，其磁化方向固定，另一层铁磁材料称为自由层，其磁化方向可通过外加磁场或极化电流改变。当固定层和自由层的磁化方向相同时，磁隧道结呈现低电正。当磁化方向不同时，磁性隧道结表现出较高的电阻。
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