一般后等离子清洗机刻蚀（HE/H2后刻蚀等）、湿法清洗工艺优化、多工艺集成机（薄膜沉积、刻蚀、清洗模块位于同一平台，隧道附着力真空环境.一直保持）会改进。卤素气体的替代方法是使用非腐蚀性蚀刻气体并主要通过物理冲击进行磁性隧道结蚀刻。电感耦合等离子体在等离子清洗机中具有较高的等离子密度，是常用的。
随着栅极氧化层厚度的不断减小，隧道附着力这种损伤会越来越影响MOS器件的可靠性，因为它会影响氧化层中的固定电荷密度、界面态密度、平带电压、漏电流等参数。带有天线元件结构的大离子收集区(多晶或金属)通常位于厚场氧的上方，因此只需要考虑薄栅氧上的隧穿电流效用。采集面积大的称为天线，隧道电流随天线元件的增加倍数等于厚场氧的采集面积与栅氧的面积之比，称为天线比。
如果栅氧区较小，隧道附着力大小是什么意思而栅极面积较大，大面积栅极收集到的离子将流向小面积的栅氧区，为了保持电荷平衡，由衬底注人栅极的隧道电流也需要随之增加，增加的倍数是栅极与栅氧面积之比，放大了损伤效应，这种现象称为“天线效应”。对于栅注入的情况，隧道电流和离子电流之和等于等离子体中总的电子电流。因为电流很大，即使没有天线的放大效应，只要栅氧化层中的场强能产生隧道电流，就会引起等离子体损伤。
这种温度限制不仅体现在相应材料蚀刻配方的收缩温度窗口上，隧道附着力还体现在冷成型硬掩模材料的普遍低蚀刻阻力上。因此，在磁性隧道结等离子清洗机的刻蚀中，以IBE为代表的、无腐蚀副作用的离子铣削工艺始终占据一席之地。其面临的问题是剥离的金属材料在刻蚀过程中会重新沉积在侧壁上，难以去除后续的清洗工艺，即沉积在隧道势垒的侧壁上，对器件性能影响很大.层，它会导致直接短路。
隧道附着力大小
3、低温等离子按用途可分为抗静电材料、导电材料和电磁屏蔽材料。隧道理论解释了导电填料对电导率的影响。导电塑料之所以导电，是因为电子可以穿过导电填料之间的空隙。在恒定浓度下，电子可以通过导电填料之间的孔隙导电，只要导电填料之间的距离短一点。这时，电阻率突然变化，导电塑料从原来的状态发生变化。绝缘体对导体，即漏电效应。炭黑填充的LDPE复合材料的渗滤浓度与炭黑的结构密切相关。
等离子清洗机蚀刻的应用及新型磁性存储器的介绍： 磁性存储器(Magnetic Random Access Memory，MRAM)是一种以磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction，MTJ)为核心组件的存储器。
1T1M (One Transistor One MTJ)是一种自旋传递力矩的磁性存储单元结构。选好字线和晶体管的磁隧道结后，用位线来写人。自旋转移力矩磁存储器的制造也通过嵌入存储单元(重置)中间的金属连接层的后段标准CMOS逻辑电路,集成逻辑后电路的自旋转移力矩越江和越江的一般过程磁隧道结刻蚀对器件性能至关重要。
该模型认为，在外加电场作用下，通过FOWLER-NORDHEIM（FN）隧穿效应注入的电子从阴极加速到阳极，穿过介电层，对介电层造成的损伤增加。此外，当加速电子到达阳极时，碰撞电离在阳极界面产生电子-空穴对，这些高能空穴中的一些被注入到氧化层的价带中……由于电场的作用，这些空穴回到阳极界面，引起氧化层的劣化和破坏。电子和热空穴都是 FN 隧道效应的结果。
隧道附着力大小
钢闸门占大坝总长的72%，隧道附着力为2309.47m。在三峡工程中，所有的机械设备、金属结构、水工闸门、隧道、桥梁、公路、码头和储运设备都离不开地表工程。在国家科技研究项目中，如&ldquo；六十五&rdquo；，&ldquo；七十五&rdquo；，&ldquo；85&rdquo；和&ldquo；95&rdquo；在重点工程安排中，在三峡工程复论证和设计审查中，表面工程的应用一直是研究和讨论的重要课题之一。
